SiC MOSFET-P3M06025K3

Silicon carbide (SiC) là một loại bán dẫn thế hệ baTrang cá cược quốc tế, trong đó các linh kiện MOSFET SiC có khả năng hoạt động hiệu quả hơn trong điều kiện điện áp cao, tần số lớn và nhiệt độ khắc nghiệt so với các linh kiện silicon truyền thống. Việc tăng tần số sẽ giúp giảm kích thước các linh kiện từ tính, từ đó đạt được mật độ công suất cao hơn. MOSFET SiC phẳng của PineGroup có độ tin cậy tuyệt vời ở lớp oxit cổng, đồng thời có sự biến thiên nhỏ của Rdson khi ở nhiệt độ cao, mang lại đặc tính nhiệt tốt hơn. Linh kiện SiC này sử dụng kiểu đóng gói TO247-3, có thể thay thế trực tiếp các MOSFET Si cùng kiểu đóng gói, mang lại giá trị kinh tế cao hơn.

Đặc điểm

Đạt tiêu chuẩn AECQ-101 | Dung lượng điện tích chuyển mạch cực nhỏ Qgd | Độ bền lớp oxit cổng vượt trội | Đặc tính nhiệt độ cao xuất sắc | Điện áp điều khiển +15/-3V | Kiểm tra UIS 100%

Ưu điểm

Hiệu suất ưu việt | Phù hợp với mạch bật tắt cứng | Giảm kích thước hệ thống | Tăng hiệu suất tổng thể | Linh kiện đạt tiêu chuẩn xe hơi | Thích hợp cho cấu trúc hai chiều | Giảm kích thước bộ tản nhiệt | Giảm chi phí hệ thống

Yêu cầu mẫu

P3M06025K3 · 650V · TO247-3 · 25mΩ · 82A · 36nC · 260pF · 175℃