Transistor Gallium Nitride (GaN HEMT)

Vì vật liệu gallium nitride (GaN) có khả năng phát sinh nhiệt rất thấp và điện trường đánh thủng cực caoban ca doi, các linh kiện công suất dựa trên GaN HEMT có điện áp dẫn rất nhỏ và tổn hao chuyển mạch cực kỳ thấp. Điều này cho phép bộ nguồn chuyển mạch sử dụng công nghệ GaN HEMT hoạt động ở tần số chuyển mạch vượt quá 1MHz, đồng thời sử dụng các linh kiện lưu trữ năng lượng có kích thước rất nhỏ, nhờ đó đạt được mật độ công suất rất cao. Chính vì vậy, GaN HEMT đang được ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực nguồn cung cấp điện cho thiết bị tiêu dùng và công nghệ thông tin.