Các vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba như silicon carbide (SiC) và gallium nitride (GaN) sở hữu những đặc tính nổi bật như dải cấm rộngbongdaso, trường đột phá cao, độ dẫn nhiệt tốt, tốc độ bão hòa của electron nhanh và khả năng chống bức xạ mạnh. So với các linh kiện bán dẫn công suất truyền thống dựa trên silic, các linh kiện bán dẫn công suất dựa trên SiC và GaN có ưu điểm vượt trội như điện trở dẫn thấp, tổn hao chuyển mạch nhỏ, nhiệt độ hoạt động cao và khả năng tản nhiệt tốt. Do đó, bộ biến đổi điện tử công suất sử dụng linh kiện SiC và GaN có thể nâng cao đáng kể tần số chuyển mạch, giảm kích thước bộ tản nhiệt, linh kiện lưu trữ năng lượng và bộ lọc, từ đó đạt được hiệu suất chuyển đổi cao hơn và mật độ công suất lớn hơn. Các linh kiện công suất SiC và GaN đang dần thay thế các linh kiện công suất truyền thống dựa trên silic, mang đến một cuộc cách mạng sâu rộng cho ngành công nghiệp bộ biến đổi điện tử công suất. Công ty PNJ Semiconductor chuyên nghiên cứu và phát triển các linh kiện bán dẫn thế hệ thứ ba, với nền tảng kỹ thuật vững chắc và lợi thế toàn diện trong chuỗi cung ứng. Trong đó, thiết kế MOSFET SiC của PNJ Semiconductor đứng đầu ngành, với các chỉ tiêu kỹ thuật quan trọng như HDFM đạt trình độ toàn cầu. PNJ Semiconductor đã phát hành hơn 100 mô hình khác nhau của diode SiC, MOSFET SiC, module công suất SiC và GaN HEMT ở ba cấp điện áp 650V, 1200V và 1700V, cung cấp cho khách hàng nhiều lựa chọn và hỗ trợ kỹ thuật toàn diện. Sản phẩm sản xuất hàng loạt của PNJ Semiconductor đã được sử dụng rộng rãi trong lĩnh vực xe điện, nguồn điện thiết bị IT, bộ biến tần mặt trời, hệ thống lưu trữ năng lượng, ứng dụng công nghiệp, và liên tục cung cấp ổn định cho các nhà sản xuất hàng đầu, đồng thời nhận được sự đánh giá cao về chất lượng và năng lực cung ứng.