Silicon carbide (SiC) là một loại bán dẫn thế hệ thứ batải gamvip, trong đó cấu trúc điốt Schottky SiC độc quyền của PowerJade có khả năng chịu điện áp cao hơn và dòng rò thấp hơn so với điốt Schottky truyền thống bằ Điều này giúp cải thiện đáng kể hiệu suất hệ thống, đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng hoạt động ở điện áp cao và tần số lớn. Đồng thời, công nghệ này giải quyết được hạn chế về điện áp giới hạn của điốt silicon và vấn đề tổn hao phục hồi ngược lớn. Điốt bằng silicon carbide có chi phí tương đối thấp và đã được sử dụng rộng rãi. PowerJade cung cấp nhiều dạng bọc khác nhau để đáp ứng các môi trường ứng dụng đa dạng.