Bài phát biểu chủ đề tại Hội nghị Tôn giáo Tô Châu | Thực trạng và xu hướng phát triển của linh kiện công suất silicon carbide

Công nghệ Bán dẫn Thế hệ thứ ba Hội nghị Phát triển và Cơ hội Công nghệ Tiên tiến Bán dẫn năm 2024 Được tổ chức tại Nam Kinhtải gamvip, hội nghị tập trung vào Vật liệu bán dẫn hợp chất và quy trình sản xuấtban ca doi, đóng gói và công nghệ ứng dụng thiết bị điện lực công suất, sản xuất bán dẫn và đóng gói tiên tiến Những chủ đề nóng hổi trong ngành đã được thảo luận sâu rộng tại hội nghị. Với vị thế là thương hiệu hàng đầu trong lĩnh vực bán dẫn thế hệ thứ batải gamvip, PINEJET sở hữu nền tảng công nghệ vững chắc cùng lợi thế toàn diện về chuỗi cung ứng, đặc biệt trong lĩnh vực silicon carbide (SiC). Đến năm 2023, PINEJET đã đạt được hơn 1 triệu xe điện sử dụng linh kiện SiC.

Ông Lý Dươn được mời tham dự và đã có bài phát biểu chủ đề vào sáng ngày 23 tháng 5ban ca doi, chia sẻ và trao đổi với mọi người Ưu điểm về hiệu suất tổng thể của chip silic cacbua trên xe 。

Tại hội nghịtải gamvip, tiến sĩ Lý Dươn đã nói về " ①S iC M Xu hướng phát triển ứng dụng OSFET99win club, so sánh các lộ trình công nghệ SiC MOSFET, và công nghệ đóng gói mớ PINEJET đã có những chia sẻ khách quan và tập trung vào ba khía cạnh chínhban ca doi, đồng thời cùng các chuyên gia trong ngành thảo luận sôi nổi và trao đổi ý kiến.

Theo chia sẻ từ tiến sĩ Lai Yang99win club, dữ liệu thị trường của YOLE cho thấy nhu cầu về linh kiện công suất silicon carbide đang tăng trưởng từng năm. Các yếu tố như khả năng chuyển đổi công suất và hiệu suất chuyển đổi đã trở thành trọng tâm mà người dùng quan tâm. Việc thay thế IGBT bằng SiC MOSFET có thể tận dụng tối đa ưu điểm về khả năng chịu điện áp cao của thiết bị SiC. Ngoài ra, lợi thế về tổn thất chuyển mạch của SiC MOSFET cũng mang lại lợi ích kinh tế rõ rệt trong ứng dụng trên xe.

Giá của SiC MOSFET trong hai năm gần đây đã giảm đáng kểtải gamvip, nhờ vào sự phát triển mạnh mẽ của chuỗi cung ứng và giảm chi phí nguyên vật liệu. SiC MOSFET chủ yếu sử dụng công nghệ...Cấu trúc cổng phẳngtải gamvip, cấu trúc rãnh kép và cấu trúc rãnh bán bọcBa tuyến đường công nghệ này99win club, trong đó Ưu điểm của cấu trúc cổng phẳng là độ tin cậy và ổn định cao ， Ưu điểm của cấu trúc rãnh kép là mật độ rãnh cao ， Cấu trúc rãnh bán bọc Mặc dù không có lợi thế về mật độ rãnh99win club, nhưng Lớp oxit cổng dày hơn ， Cgd nhỏ hơn Công nghệ cấu trúc cổng phẳng đã rất phổ biến và hoàn thiện. Trong khi đó99win club, công nghệ cấu trúc cổng rãnh đã có sự phát triển nhanh chóng trong vài năm gần đây, mở rộng thị phần đáng kể. Tuy nhiên, giải pháp tối ưu cuối cùng vẫn cần được kiểm chứng bởi thị trường. Theo quá trình phát triển của linh kiện bán dẫn công suất, việc nâng cao hiệu suất đòi hỏi phải thu nhỏ kích thước ô tế bào và tăng mật độ kênh. Vì SiC có cường độ điện trường đánh thủng gấp 10 lần so với silic, nên thiết kế SiC MOSFET 650V tương đương với thiết kế Si MOSFET 65V, và SiC MOSFET 1200V tương đương với Si MOSFET 120V. Do đó, chúng ta có thể tham khảo quy trình phát triển của Si MOSFET ở mức điện áp thấp.

Vào những năm 1980tải gamvip, kích thước ô tế bào của MOSFET silic cấu trúc cổng phẳng khoảng 20-30 micromet. Tuy nhiên, do hiện tượng khuếch tán của vật liệu silic, không thể thu nhỏ thêm nữa, do đó chỉ có thể tiếp tục cải tiến cấu trúc cổng rãnh để thu nhỏ kích thước ô tế bào. Cấu trúc SGT sau đó đã giải quyết vấn đề về Cgd lớn trong cấu trúc cổng rãnh. Hiện nay, xu hướng phát triển công nghệ của linh kiện bán dẫn công suất chủ yếu hướng tới việc thu nhỏ kích thước ô tế bào. Vào năm 201999win club, PINEJET đã giới thiệu sản phẩm MOSFET SiC với kích thước ô tế bào 4,8 micromet, và đến nay, hiệu năng của sản phẩm này vẫn giữ được vị thế dẫn đầu. PINEJET sở hữu bản quyền độc quyền toàn bộ quy trình sản xuất SiCtải gamvip, cho phép tiếp tục thu nhỏ kích thước ô tế bào trên cơ sở cấu trúc cổng phẳng. Năm nay, công ty sẽ ra mắt dòng sản phẩm MOSFET SiC với kích thước ô tế bào nhỏ hơn, giúp tăng đáng kể mật độ kênh, từ đó nâng cao khả năng tải và độ tin cậy.

Mặc dù cấu trúc cổng rãnh có lợi thế về mật độ kênh99win club, nhưng điện trở dẫn theo nhiệt độ biến thiên khá lớn. Khi nhiệt độ cao, điện trở dẫn sẽ tăng lên rõ rệt. Nguyên nhân chính là do điện trở vùng di chuyển trong cấu trúc cổng rãnh chiếm tỷ lệ lớn, gây ra hệ số nhiệt dương lớn cho tổng điện trở dẫn. Ngoài ra, cấu trúc tinh thể 4H-SiC có tính chất dị hướng, khiến tính chất mặt cổng giữa cấu trúc cổng phẳng và cấu trúc cổng rãnh khác nhau đáng kể. Các khuyết tật trong cấu trúc cổng phẳng dễ được làm mờ, do đó tính ổn định tốt hơn. Ngược lại, các khuyết tật trong cấu trúc cổng rãnh khó được làm mờ, dẫn đến ảnh hưởng lớn đến các thông số như Vth. Cuối cùng, tiến sĩ Lai Yang đã phân tích vấn đề nhiễu tín hiệu trong mạch cầu của SiC MOSFET và chỉ ra rằng tỷ số Cgs/Cgd của cấu trúc cổng rãnh nhỏ hơn, trong khi tỷ số này của cấu trúc cổng phẳng lớn hơn, do đó cấu trúc cổng phẳng có khả năng chống nhiễu tốt hơn, giúp thiết kế mạch điều khiển dễ dàng hơn.

Tiến sĩ Lai Yang cho biết99win club, xu hướng phát triển công nghệ đóng gói tiên tiến cho SiC MOSFET bao gồm việc tăng khả năng chịu điện áp, tăng khả năng tải và giảm tổn thất chuyển mạch. Đồng thời, ông cũng nhấn mạnh những lợi ích mà công nghệ đóng gói mới mang lại trong sản xuất hàng loạt, và đề xuất một dạng đóng gói mới – loại đóng gói bề mặt có cách điện bên trong và tản nhiệt từ phía trên. Ngoài ra, trong buổi chia sẻ99win club, tiến sĩ Lai Yang cũng giới thiệu các sản phẩm và dịch vụ của PINEJET, bao gồm MOSFET SiC, SBD SiC và HEMT GaN. Công ty dự kiến sẽ ra mắt sản phẩm MOSFET SiC đầu tiên có điện áp 2000V vào năm nay. 。

Trong hội nghịtải gamvip, tiến sĩ Lai Yang của PINEJET đã trao đổi ý tưởng cùng các chuyên gia trong ngành, thảo luận về xu hướng, phát triển và hợp tác. Chúng tôi hy vọng sẽ có thêm nhiều cơ hội trao đổi và thảo luận trong tương lai, cùng nhau đi xa hơn và khám phá sâu hơn trong lĩnh vực bán dẫn.

• Kiến thức và hành động nhất quán99win club, tạo ra giá trị

• Thương hiệu hàng đầu Trung Quốc về thiết bị công suất bán dẫn thế hệ ba

• Tập trung vào nghiên cứutải gamvip, thiết kế và công nghiệp hóa bán dẫn dải cấm rộng

• Sản phẩm chính là MOSFET silic cacbua cấp xe99win club, diode silic cacbua SBD và thiết bị công suất gallium nitride

• Sở hữu danh mục thiết bị công suất silic cacbua đầy đủ nhất trong nước

PNJ Semiconductor

Được thành lập vào tháng 9 năm 2018ban ca doi, công ty PINEJET là nhà thiết kế và cung cấp giải pháp linh kiện bán dẫn công suất thế hệ thứ ba. Là thành viên chính của cuộc họp JC-70 thuộc ủy ban tiêu chuẩn quốc tế, công ty đã tham gia xây dựng tiêu chuẩn quốc tế cho linh kiện bán dẫn băng cấm rộng. Đến nay, PINEJET đã phát hành hơn 100 mô hình linh kiện công suất SiC SBD, SiC MOSFET và GaN HEMT ở các mức điện áp 650V/1200V/1700V. Trong đó, chip SiC MOSFET đã được đưa vào sử dụng rộng rãi tại các nhà máy ô tô điện trong nước và các nhà cung cấp hạng nhất. Các sản phẩm còn lại được ứng dụng rộng rãi trong trung tâm dữ liệu lớn, siêu máy tính và blockchain, trạm phát sóng 5G, lưu trữ năng lượng và trạm sạc, pin mặt trời nhỏ, đường sắt tốc độ cao, giao thông đô thị, thiết bị gia đình, cũng như hệ thống truyền tải điện áp cao, hàng không vũ trụ, nguồn điện công nghiệp đặc biệt, UPS, động cơ điều khiển, v.v.

Xin liên hệ để nhận mẫu: sales@pnjsemi.com